IMBD4448-HE3-08 Prezos (USD) [2097832unidades de stock]
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- Número de peza:
- IMBD4448-HE3-08
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - JFETs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division IMBD4448-HE3-08 electronic components. IMBD4448-HE3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IMBD4448-HE3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IMBD4448-HE3-08 Atributos do produto
Número de peza :
IMBD4448-HE3-08
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
75V
Actual - Media rectificada (Io) :
150mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 10mA
Velocidade :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) :
4ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
2.5µA @ 70V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-23
Temperatura de funcionamento: unión :
150°C (Max)
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