Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J36MFV,L3F

KEY Part #: K6403830

[2222unidades de stock]


    Número de peza:
    SSM3J36MFV,L3F
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición detallada:
    MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: TRIAC, Diodos: rectificadores de ponte and Diodos - RF ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SSM3J36MFV,L3F Atributos do produto

    Número de peza : SSM3J36MFV,L3F
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición : MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM
    Serie : U-MOSIII
    Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
    Tipo FET : P-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 330mA (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 1.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 1.2nC @ 4V
    Vgs (máximo) : ±8V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 43pF @ 10V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 150mW (Ta)
    Temperatura de operación : 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : VESM
    Paquete / Estuche : SOT-723

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