UH1BHE3_A/H Prezos (USD) [793899unidades de stock]
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- 7,200 pcs$0.04892
- Número de peza:
- UH1BHE3_A/H
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0A 100 Volt 25ns 30 Amp IFSM
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores: SCRs, Transistores - JFETs and Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UH1BHE3_A/H electronic components. UH1BHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UH1BHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UH1BHE3_A/H Atributos do produto
Número de peza :
UH1BHE3_A/H
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.05V @ 1A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
25ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
1µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
17pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AC, SMA
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
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- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
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- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
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- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
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- STTH5R06G
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