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- Número de peza:
- IRF7342D2TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7342D2TRPBF electronic components. IRF7342D2TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7342D2TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7342D2TRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF7342D2TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
Serie :
FETKY™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
55V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.4A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
105 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
690pF @ 25V
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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