Número de peza :
IPU80R1K4CEAKMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 800V TO251-3
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3.9A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 240µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
570pF @ 100V
Disipación de potencia (máx.) :
63W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO251-3
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA