Toshiba Semiconductor and Storage - HN2A01FE-GR(TE85LF

KEY Part #: K6392107

[6289unidades de stock]


    Número de peza:
    HN2A01FE-GR(TE85LF
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición detallada:
    TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Diodos - Zener - Single ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN2A01FE-GR(TE85LF electronic components. HN2A01FE-GR(TE85LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN2A01FE-GR(TE85LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HN2A01FE-GR(TE85LF Atributos do produto

    Número de peza : HN2A01FE-GR(TE85LF
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición : TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo de transistor : 2 PNP (Dual)
    Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 150mA
    Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 50V
    Vce Saturación (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 10mA, 100mA
    Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 100nA (ICBO)
    Ganancia de corrente continua (hFE) (min) @ ic, Vce : 200 @ 2mA, 6V
    Potencia: máx : 100mW
    Frecuencia - Transición : 800MHz
    Temperatura de operación : 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : SOT-563, SOT-666
    Paquete de dispositivos de provedores : ES6

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