Número de peza :
FQI2N80TU
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.4A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.3 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
15nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
550pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
3.13W (Ta), 85W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
I2PAK
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA