APT100GN60B2G Prezos (USD) [9905unidades de stock]
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- 25 pcs$4.16056
- 100 pcs$3.75468
- 250 pcs$3.45024
- 500 pcs$3.14581
- Número de peza:
- APT100GN60B2G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- IGBT 600V 229A 625W TMAX.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - RF and Transistores - IGBTs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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APT100GN60B2G Atributos do produto
Número de peza :
APT100GN60B2G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
IGBT 600V 229A 625W TMAX
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
600V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
229A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
300A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
1.85V @ 15V, 100A
Potencia: máx :
625W
Enerxía de conmutación :
4.7mJ (on), 2.675mJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
600nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
31ns/310ns
Condición da proba :
400V, 100A, 1 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-247-3 Variant
Paquete de dispositivos de provedores :
-
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