GeneSiC Semiconductor - MURT10005R

KEY Part #: K6468924

MURT10005R Prezos (USD) [1067unidades de stock]

  • 1 pcs$40.55691
  • 50 pcs$27.12140

Número de peza:
MURT10005R
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrición detallada:
DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 100A 50P/35R
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: TRIAC and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MURT10005R electronic components. MURT10005R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURT10005R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURT10005R Atributos do produto

Número de peza : MURT10005R
Fabricante : GeneSiC Semiconductor
Descrición : DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER
Serie : -
Estado da parte : Active
Configuración do diodo : 1 Pair Common Anode
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 50V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) : 100A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.3V @ 50A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 75ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 25µA @ 50V
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : Three Tower
Paquete de dispositivos de provedores : Three Tower
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