Vishay Semiconductor Diodes Division - UH3BHE3_A/H

KEY Part #: K6457094

UH3BHE3_A/H Prezos (USD) [347921unidades de stock]

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Número de peza:
UH3BHE3_A/H
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB. Rectifiers 3A, 100V, 25NS, PLANNAR FER RECT SMD
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Tiristores: TRIAC ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UH3BHE3_A/H Atributos do produto

Número de peza : UH3BHE3_A/H
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V
Actual - Media rectificada (Io) : 3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.05V @ 3A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 40ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : DO-214AB, SMC
Paquete de dispositivos de provedores : DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 175°C

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