MPG06D-E3/53 Prezos (USD) [803379unidades de stock]
- 1 pcs$0.04858
- 9,000 pcs$0.04834
- Número de peza:
- MPG06D-E3/53
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp 40 Amp IFSM Trim Leads
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Finalidade especial, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Módulos de controlador de enerxía ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division MPG06D-E3/53 electronic components. MPG06D-E3/53 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MPG06D-E3/53, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MPG06D-E3/53 Atributos do produto
Número de peza :
MPG06D-E3/53
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
200V
Actual - Media rectificada (Io) :
1A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.1V @ 1A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
600ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
MPG06, Axial
Paquete de dispositivos de provedores :
MPG06
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
Últimas novas
Tamén pode estar interesado
-
VS-60APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
-
-
BAV20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
-
Pezas quentes
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08