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- Número de peza:
- STU10NM65N
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 650V 9A IPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: SCRs, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Rectificadores - Arrays and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STU10NM65N electronic components. STU10NM65N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STU10NM65N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STU10NM65N Atributos do produto
Número de peza :
STU10NM65N
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CH 650V 9A IPAK
Serie :
MDmesh™ II
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
480 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
850pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
90W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
I-PAK
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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