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- Número de peza:
- DMG4406LSS-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Finalidade especial, Transistores - JFETs and Tiristores: SCRs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMG4406LSS-13 electronic components. DMG4406LSS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG4406LSS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMG4406LSS-13 Atributos do produto
Número de peza :
DMG4406LSS-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
10.3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
26.7nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1281pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.5W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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