Número de peza :
FDMS86350ET80
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
25A (Ta), 198A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
155nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
8030pF @ 40V
Disipación de potencia (máx.) :
3.3W (Ta), 187W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
Power56
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN