Vishay Siliconix - SUM50P10-42-E3

KEY Part #: K6401772

[2935unidades de stock]


    Número de peza:
    SUM50P10-42-E3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrición detallada:
    MOSFET P-CH 100V 36A D2PAK.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - IGBTs - Módulos ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SUM50P10-42-E3 Atributos do produto

    Número de peza : SUM50P10-42-E3
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrición : MOSFET P-CH 100V 36A D2PAK
    Serie : TrenchFET®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 36A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 14A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 160nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 4600pF @ 50V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 18.8W (Ta), 125W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : TO-263 (D2Pak)
    Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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