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- Número de peza:
- IRLD110
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: TRIAC, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Unión programable, Diodos - Zener - Single and Diodos - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix IRLD110 electronic components. IRLD110 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLD110, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLD110 Atributos do produto
Número de peza :
IRLD110
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
540 mOhm @ 600mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
6.1nC @ 5V
Vgs (máximo) :
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
250pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.3W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Estuche :
4-DIP (0.300", 7.62mm)
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