ON Semiconductor - BAV21

KEY Part #: K6445436

BAV21 Prezos (USD) [467606unidades de stock]

  • 1 pcs$0.08701
  • 10 pcs$0.07910
  • 100 pcs$0.04307
  • 500 pcs$0.02650
  • 1,000 pcs$0.01807

Número de peza:
BAV21
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35 0.25A 250V Swi tching
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Finalidade especial, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in ON Semiconductor BAV21 electronic components. BAV21 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV21, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAV21 Atributos do produto

Número de peza : BAV21
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35
Serie : -
Estado da parte : Obsolete
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 250V
Actual - Media rectificada (Io) : 200mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.25V @ 200mA
Velocidade : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) : 50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 100nA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : DO-204AH, DO-35, Axial
Paquete de dispositivos de provedores : DO-35
Temperatura de funcionamento: unión : 175°C (Max)

Tamén pode estar interesado
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • VS-80EPS08PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC.

  • VS-80EPF12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.