Vishay Semiconductor Diodes Division - UGB5HTHE3/45

KEY Part #: K6445592

UGB5HTHE3/45 Prezos (USD) [2054unidades de stock]

  • 1,000 pcs$0.25297

Número de peza:
UGB5HTHE3/45
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 500V 5A TO263AB.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: SCRs and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UGB5HTHE3/45 electronic components. UGB5HTHE3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UGB5HTHE3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UGB5HTHE3/45 Atributos do produto

Número de peza : UGB5HTHE3/45
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 500V 5A TO263AB
Serie : -
Estado da parte : Obsolete
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 500V
Actual - Media rectificada (Io) : 5A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.75V @ 5A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 50ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 30µA @ 500V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores : TO-263AB
Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

Tamén pode estar interesado
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode