Vishay Semiconductor Diodes Division - VB10170C-E3/4W

KEY Part #: K6471988

VB10170C-E3/4W Prezos (USD) [64945unidades de stock]

  • 1 pcs$0.60206

Número de peza:
VB10170C-E3/4W
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
10A170VTRENCH SKY RECT.. Schottky Diodes & Rectifiers 10A 170V TrenchMOS
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VB10170C-E3/4W Atributos do produto

Número de peza : VB10170C-E3/4W
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : 10A170VTRENCH SKY RECT.
Serie : TMBS®
Estado da parte : Active
Configuración do diodo : 1 Pair Common Cathode
Tipo de diodo : Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 170V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) : 5A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.03V @ 5A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 90µA @ 170V
Temperatura de funcionamento: unión : -40°C ~ 175°C
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores : TO-263AA

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