Global Power Technologies Group - GSID150A120S3B1

KEY Part #: K6532551

GSID150A120S3B1 Prezos (USD) [1077unidades de stock]

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  • 8 pcs$40.17796

Número de peza:
GSID150A120S3B1
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descrición detallada:
SILICON IGBT MODULES.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single and Diodos - RF ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GSID150A120S3B1 Atributos do produto

Número de peza : GSID150A120S3B1
Fabricante : Global Power Technologies Group
Descrición : SILICON IGBT MODULES
Serie : Amp+™
Estado da parte : Active
Tipo IGBT : -
Configuración : 2 Independent
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 300A
Potencia: máx : 940W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 150A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
Entrada : Standard
Termistor NTC : No
Temperatura de operación : -40°C ~ 150°C
Tipo de montaxe : Chassis Mount
Paquete / Estuche : D-3 Module
Paquete de dispositivos de provedores : D3

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