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- Número de peza:
- IRFBG20L
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFBG20L electronic components. IRFBG20L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBG20L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFBG20L Atributos do produto
Número de peza :
IRFBG20L
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
1.4A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 Ohm @ 840mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
500pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
-
Temperatura de operación :
-
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
I2PAK
Paquete / Estuche :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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