Número de peza :
1N4152_T50R
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35
Estado da parte :
Obsolete
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
40V
Actual - Media rectificada (Io) :
200mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
880mV @ 20mA
Velocidade :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) :
4ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
50nA @ 30V
Capacitancia @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
DO-204AH, DO-35, Axial
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-35
Temperatura de funcionamento: unión :
175°C (Max)