Vishay Semiconductor Diodes Division - V12P8HM3_A/I

KEY Part #: K6431260

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Número de peza:
V12P8HM3_A/I
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE SCHOTTKY 80V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12A, 80V, SMPC AEC-Q101 Qualified
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores: SCRs and Transistores - Unión programable ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

V12P8HM3_A/I Atributos do produto

Número de peza : V12P8HM3_A/I
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE SCHOTTKY 80V 12A TO277A
Serie : Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 80V
Actual - Media rectificada (Io) : 12A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 660mV @ 12A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Actual - Fuga inversa @ Vr : 1mA @ 80V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-277, 3-PowerDFN
Paquete de dispositivos de provedores : TO-277A (SMPC)
Temperatura de funcionamento: unión : -40°C ~ 150°C

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