Toshiba Semiconductor and Storage - RN1969FE(TE85L,F)

KEY Part #: K6529777

[2051unidades de stock]


    Número de peza:
    RN1969FE(TE85L,F)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición detallada:
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - Zener - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN1969FE(TE85L,F) Atributos do produto

    Número de peza : RN1969FE(TE85L,F)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo de transistor : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 100mA
    Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 50V
    Resistor - Base (R1) : 47 kOhms
    Resistor - Base do emisor (R2) : 22 kOhms
    Ganancia de corrente continua (hFE) (min) @ ic, Vce : 70 @ 10mA, 5V
    Vce Saturación (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
    Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 100nA (ICBO)
    Frecuencia - Transición : 250MHz
    Potencia: máx : 100mW
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : SOT-563, SOT-666
    Paquete de dispositivos de provedores : ES6

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