TK8Q60W,S1VQ Prezos (USD) [51384unidades de stock]
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- 75 pcs$0.83704
- Número de peza:
- TK8Q60W,S1VQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N CH 600V 8A IPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
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TK8Q60W,S1VQ Atributos do produto
Número de peza :
TK8Q60W,S1VQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N CH 600V 8A IPAK
Serie :
DTMOSIV
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 400µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
18.5nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
570pF @ 300V
Función FET :
Super Junction
Disipación de potencia (máx.) :
80W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
I-PAK
Paquete / Estuche :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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