Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 40A DO5
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
40A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.19V @ 90A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
5µs
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 100V
Paquete de dispositivos de provedores :
-
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 200°C