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- Número de peza:
- JAN1N5550US
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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JAN1N5550US Atributos do produto
Número de peza :
JAN1N5550US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/420
Estado da parte :
Discontinued at Digi-Key
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
200V
Actual - Media rectificada (Io) :
3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.2V @ 9A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
2µs
Actual - Fuga inversa @ Vr :
1µA @ 200V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SQ-MELF, B
Paquete de dispositivos de provedores :
D-5B
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C
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