Número de peza :
GI751-E3/73
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 100V 6A P600
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
100V
Actual - Media rectificada (Io) :
6A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
900mV @ 6A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
2.5µs
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 100V
Capacitancia @ Vr, F :
150pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
P600, Axial
Paquete de dispositivos de provedores :
P600
Temperatura de funcionamento: unión :
-50°C ~ 150°C