Infineon Technologies - BCR198B6327HTLA1

KEY Part #: K6528111

[2607unidades de stock]


    Número de peza:
    BCR198B6327HTLA1
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrición detallada:
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Zener - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Infineon Technologies BCR198B6327HTLA1 electronic components. BCR198B6327HTLA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BCR198B6327HTLA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BCR198B6327HTLA1 Atributos do produto

    Número de peza : BCR198B6327HTLA1
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrición : TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo de transistor : PNP - Pre-Biased
    Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 100mA
    Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 50V
    Resistor - Base (R1) : 47 kOhms
    Resistor - Base do emisor (R2) : 47 kOhms
    Ganancia de corrente continua (hFE) (min) @ ic, Vce : 70 @ 5mA, 5V
    Vce Saturación (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 10mA
    Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 100nA (ICBO)
    Frecuencia - Transición : 190MHz
    Potencia: máx : 200mW
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Paquete de dispositivos de provedores : SOT-23-3

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