IRF135B203 Prezos (USD) [32584unidades de stock]
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- 500 pcs$0.72427
- 1,000 pcs$0.60012
- Número de peza:
- IRF135B203
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET NCH 135V 129A TO220.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Tiristores: TRIAC, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Finalidade especial and Transistores - IGBTs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF135B203 electronic components. IRF135B203 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF135B203, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF135B203 Atributos do produto
Número de peza :
IRF135B203
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET NCH 135V 129A TO220
Serie :
StrongIRFET™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
135V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
129A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.4 mOhm @ 77A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
270nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
9700pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
441W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO220-3
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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