APT60N60BCSG Prezos (USD) [4345unidades de stock]
- 1 pcs$10.96631
- 10 pcs$9.97022
- 100 pcs$8.47468
- Número de peza:
- APT60N60BCSG
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 60A TO-247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Finalidade especial ...
- Ventaxa competitiva:
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APT60N60BCSG Atributos do produto
Número de peza :
APT60N60BCSG
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
60A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 3mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
190nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
7200pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
431W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247 [B]
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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