VS-8EWS12STRR-M3 Prezos (USD) [69518unidades de stock]
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- Número de peza:
- VS-8EWS12STRR-M3
- Fabricante:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-8EWS12STRR-M3 electronic components. VS-8EWS12STRR-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-8EWS12STRR-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-8EWS12STRR-M3 Atributos do produto
Número de peza :
VS-8EWS12STRR-M3
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición :
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1200V
Actual - Media rectificada (Io) :
8A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.1V @ 8A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
50µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores :
D-PAK (TO-252AA)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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- 30EPF12
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- BAT42W-7
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- BAS16WF