ON Semiconductor - NSBC114TDXV6T1G

KEY Part #: K6528803

NSBC114TDXV6T1G Prezos (USD) [1045398unidades de stock]

  • 1 pcs$0.03538
  • 8,000 pcs$0.03028

Número de peza:
NSBC114TDXV6T1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Tiristores: SCRs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Unión programable, Transistores - JFETs and Diodos - Zener - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in ON Semiconductor NSBC114TDXV6T1G electronic components. NSBC114TDXV6T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSBC114TDXV6T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NSBC114TDXV6T1G Atributos do produto

Número de peza : NSBC114TDXV6T1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de transistor : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 100mA
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 50V
Resistor - Base (R1) : 10 kOhms
Resistor - Base do emisor (R2) : -
Ganancia de corrente continua (hFE) (min) @ ic, Vce : 160 @ 5mA, 10V
Vce Saturación (Max) @ Ib, Ic : 250mV @ 1mA, 10mA
Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 500nA
Frecuencia - Transición : -
Potencia: máx : 500mW
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos de provedores : SOT-563

Tamén pode estar interesado