ES3JHM6G Prezos (USD) [524369unidades de stock]
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- Número de peza:
- ES3JHM6G
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: SCRs, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
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ES3JHM6G Atributos do produto
Número de peza :
ES3JHM6G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
3A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.7V @ 3A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
35ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F :
30pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
DO-214AB, SMC
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 150°C
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