TK25V60X,LQ Prezos (USD) [40731unidades de stock]
- 1 pcs$0.95996
- Número de peza:
- TK25V60X,LQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Unión programable, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Módulos de controlador de enerxía ...
- Ventaxa competitiva:
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TK25V60X,LQ Atributos do produto
Número de peza :
TK25V60X,LQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie :
DTMOSIV-H
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
25A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
135 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 1.2mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2400pF @ 300V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
180W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
4-DFN-EP (8x8)
Paquete / Estuche :
4-VSFN Exposed Pad
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