Número de peza :
NTLJF3118NTAG
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.6A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
3.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
271pF @ 10V
Función FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
6-WDFN (2x2)
Paquete / Estuche :
6-WDFN Exposed Pad