Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
200V
Actual - Media rectificada (Io) :
4A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
890mV @ 4A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
35ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 200V
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
DO-201AA, DO-27, Axial
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-201AD
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 175°C