[2016unidades de stock]
- Número de peza:
- BYC8B-600PQP
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 600V 8A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - JFETs, Diodos - RF, Tiristores: TRIAC, Tiristores: SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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BYC8B-600PQP Atributos do produto
Número de peza :
BYC8B-600PQP
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrición :
DIODE GEN PURP 600V 8A
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
600V
Actual - Media rectificada (Io) :
8A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
3.4V @ 8A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
18ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
20µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F :
-
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivos de provedores :
D2PAK
Temperatura de funcionamento: unión :
175°C (Max)
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