Número de peza :
FCP125N65S3
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 650V 125MOHM TO220
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
24A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 2.4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
46nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1940pF @ 400V
Disipación de potencia (máx.) :
181W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220-3
Paquete / Estuche :
TO-220-3