Alliance Memory, Inc. - AS4C128M8D2-25BIN

KEY Part #: K937506

AS4C128M8D2-25BIN Prezos (USD) [17157unidades de stock]

  • 1 pcs$2.67064
  • 10 pcs$2.43663
  • 25 pcs$2.39018
  • 50 pcs$2.37387
  • 100 pcs$2.12951
  • 250 pcs$2.12132
  • 500 pcs$1.98891
  • 1,000 pcs$1.90427

Número de peza:
AS4C128M8D2-25BIN
Fabricante:
Alliance Memory, Inc.
Descrición detallada:
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA. DRAM 1G, 1.8V, 128M x 16 DDR2
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Lineal - Multiplicadores analóxicos, divisores, PMIC - Interruptores de distribución de enerxía, c, PMIC - Iluminación, controladores de lastre, PMIC - Cargadores de baterías, Interface - Terminadores de sinal, Interface - Síntese dixital directa (DDS), Interfaz: Sensor, tacto capacitivo and Lóxica: Buffers, Drivers, Receivers, Transceivers ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D2-25BIN electronic components. AS4C128M8D2-25BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C128M8D2-25BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C128M8D2-25BIN Atributos do produto

Número de peza : AS4C128M8D2-25BIN
Fabricante : Alliance Memory, Inc.
Descrición : IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnoloxía : SDRAM - DDR2
Tamaño da memoria : 1Gb (128M x 8)
Frecuencia do reloxo : 400MHz
Cycle Time - Word, páx : 15ns
Tempo de acceso : 400ps
Interface de memoria : Parallel
Tensión - subministración : 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de operación : -40°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : 60-TFBGA
Paquete de dispositivos de provedores : 60-FBGA (8x10)

Tamén pode estar interesado
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • AT28BV256-20SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)