Número de peza :
PMG45UN,115
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 3A SOT363
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
3.3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
184pF @ 10V
Disipación de potencia (máx.) :
375mW (Ta), 4.35W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
6-TSSOP
Paquete / Estuche :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363