NXP USA Inc. - PMG45UN,115

KEY Part #: K6403117

[2469unidades de stock]


    Número de peza:
    PMG45UN,115
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 20V 3A SOT363.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - JFETs ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMG45UN,115 Atributos do produto

    Número de peza : PMG45UN,115
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrición : MOSFET N-CH 20V 3A SOT363
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 20V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 3A (Ta)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 3A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 3.3nC @ 4.5V
    Vgs (máximo) : -
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 184pF @ 10V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 375mW (Ta), 4.35W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : 6-TSSOP
    Paquete / Estuche : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363