Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
DIODE GEN PURP 35V 200MA DO35
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
35V
Actual - Media rectificada (Io) :
200mA
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1V @ 30mA
Velocidade :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de recuperación inversa (trr) :
2ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
100nA @ 25V
Capacitancia @ Vr, F :
4pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
DO-204AH, DO-35, Axial
Paquete de dispositivos de provedores :
DO-35
Temperatura de funcionamento: unión :
-65°C ~ 150°C