[1961unidades de stock]
- Número de peza:
- IPB136N08N3 G
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - Finalidade especial ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPB136N08N3 G electronic components. IPB136N08N3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB136N08N3 G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB136N08N3 G Atributos do produto
Número de peza :
IPB136N08N3 G
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
45A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.6 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 33µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1730pF @ 40V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
79W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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