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- Número de peza:
- PTAB182002TCV2R250XTMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - JFETs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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PTAB182002TCV2R250XTMA1 Atributos do produto
Número de peza :
PTAB182002TCV2R250XTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Serie :
-
Estado da parte :
Obsolete
Tipo de transistor :
LDMOS
Frecuencia :
1.805GHz ~ 1.88GHz
Ganancia :
14.8dB
Tensión: proba :
28V
Valoración actual :
10µA
Figura de ruído :
-
Actual - Proba :
520mA
Potencia - Saída :
29W
Tensión: clasificada :
65V
Paquete / Estuche :
H-49248H-4
Paquete de dispositivos de provedores :
H-49248H-4
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