IRF7329TRPBF Prezos (USD) [153094unidades de stock]
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- Número de peza:
- IRF7329TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Rectificadores - Arrays and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7329TRPBF electronic components. IRF7329TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7329TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7329TRPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF7329TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
12V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
57nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3450pF @ 10V
Potencia: máx :
2W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
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