Toshiba Semiconductor and Storage - RN2902FE(T5L,F,T)

KEY Part #: K6529768

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    Número de peza:
    RN2902FE(T5L,F,T)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición detallada:
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: SCRs, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Diodos - Zener - Arrays ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN2902FE(T5L,F,T) electronic components. RN2902FE(T5L,F,T) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2902FE(T5L,F,T), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN2902FE(T5L,F,T) Atributos do produto

    Número de peza : RN2902FE(T5L,F,T)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrición : TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo de transistor : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 100mA
    Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 50V
    Resistor - Base (R1) : 10 kOhms
    Resistor - Base do emisor (R2) : 10 kOhms
    Ganancia de corrente continua (hFE) (min) @ ic, Vce : 50 @ 10mA, 5V
    Vce Saturación (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
    Actual - Corte do coleccionista (máximo) : 100nA (ICBO)
    Frecuencia - Transición : 200MHz
    Potencia: máx : 100mW
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete / Estuche : SOT-563, SOT-666
    Paquete de dispositivos de provedores : ES6

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