Vishay Siliconix - SUD50N10-18P-E3

KEY Part #: K6405922

[1498unidades de stock]


    Número de peza:
    SUD50N10-18P-E3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrición detallada:
    MOSFET N-CH 100V 8.2A TO252.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
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    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SUD50N10-18P-E3 Atributos do produto

    Número de peza : SUD50N10-18P-E3
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrición : MOSFET N-CH 100V 8.2A TO252
    Serie : TrenchFET®
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
    Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
    Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 8.2A (Ta), 50A (Tc)
    Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18.5 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 75nC @ 10V
    Vgs (máximo) : ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2600pF @ 50V
    Función FET : -
    Disipación de potencia (máx.) : 3W (Ta), 136.4W (Tc)
    Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Surface Mount
    Paquete de dispositivos de provedores : TO-252, (D-Pak)
    Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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