Vishay Semiconductor Diodes Division - G3SBA20-E3/45

KEY Part #: K6541744

[12274unidades de stock]


    Número de peza:
    G3SBA20-E3/45
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición detallada:
    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU. Bridge Rectifiers 4.0 Amp 200 Volt Glass Passivated
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - RF, Transistores - Unión programable, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Ventaxa competitiva:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division G3SBA20-E3/45 electronic components. G3SBA20-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for G3SBA20-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    G3SBA20-E3/45 Atributos do produto

    Número de peza : G3SBA20-E3/45
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición : BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2.3A GBU
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo de diodo : Single Phase
    Tecnoloxía : Standard
    Tensión - Pico inverso (máximo) : 200V
    Actual - Media rectificada (Io) : 2.3A
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1V @ 2A
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 200V
    Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montaxe : Through Hole
    Paquete / Estuche : 4-SIP, GBU
    Paquete de dispositivos de provedores : GBU

    Tamén pode estar interesado
    • DBA250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A.

    • DBG250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.6A.

    • GBJ2010-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ.

    • GBJ20005-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1PHASE 50V 20A GBJ.

    • GBJ2004-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1PHASE 400V 20A GBJ.

    • GBPC110-E4/51

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A GBPC1.