DD750S65K3NOSA1 Prezos (USD) [39unidades de stock]
- 1 pcs$890.87720
- Número de peza:
- DD750S65K3NOSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- IGBT MODULE VCES 6500V 750A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Finalidade especial and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
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DD750S65K3NOSA1 Atributos do produto
Número de peza :
DD750S65K3NOSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
IGBT MODULE VCES 6500V 750A
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Configuración do diodo :
2 Independent
Tipo de diodo :
Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
6500V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) :
-
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
3.5V @ 750A
Velocidade :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
1100A @ 3600V
Temperatura de funcionamento: unión :
-50°C ~ 125°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
A-IHV130-6
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