Vishay Semiconductor Diodes Division - MPG06BHE3/73

KEY Part #: K6446898

[1608unidades de stock]


    Número de peza:
    MPG06BHE3/73
    Fabricante:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición detallada:
    DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06.
    Prazo de entrega estándar do fabricante:
    En stock
    Vida útil:
    Un ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pago:
    Forma de envío:
    Categorías familiares:
    KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
    Ventaxa competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MPG06BHE3/73 Atributos do produto

    Número de peza : MPG06BHE3/73
    Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Descrición : DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
    Serie : -
    Estado da parte : Obsolete
    Tipo de diodo : Standard
    Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 100V
    Actual - Media rectificada (Io) : 1A
    Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.1V @ 1A
    Velocidade : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Tempo de recuperación inversa (trr) : 600ns
    Actual - Fuga inversa @ Vr : 5µA @ 100V
    Capacitancia @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
    Tipo de montaxe : Through Hole
    Paquete / Estuche : MPG06, Axial
    Paquete de dispositivos de provedores : MPG06
    Temperatura de funcionamento: unión : -55°C ~ 150°C

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